مراجعة حسب الطلب المؤلف "نصر دبار"
يظهر الآن 1 - 1 من 1
- النتائج لكل صفحة
- خيارات الفرز
مقالة وصول حر كاشف ضوئي ذو كفاءة عالية، منسجم مع تقنية ترانزستور GaAs ذو التأثير المجالي، مكوّن من شبكية InGaAs/GaAs متوتّرة(دار جامعة الملك سعود للنشر, 01/01/1998) نصر دباريقدّم هذا البحث كاشفاً ضوئياً للموجات الطويلة يتكون من معدن شبه موصل ومعدن آخر متداخلة فيما بينهما (MSM). وتتكون الطبقة التي تقوم بامتصاص الضوء من شبكية متوترة مكونة من (InGaAs/GaAs). وهذه الشبكية مصصمة كي تمتص الضوء ذي الموجات الطويلة. والتركيبة المشيّدة على قاعدة من (GaAs) غير مشبوة بحيث تكون منسجمة تماماً مع تقنية النبائط الإلكترونية من (GaAs) المستقرة.
وفي حالة الظلام، يبدى الاكشف الضوئي ـ قيد البحث ـ تياراً منخفضاً مقداره 26 نانو أمبير عند جهد دعم مقداره 10 فولت، واستجابتة نبضية سريعة جداً بعرض تام بعد إزالة الالتفاف وعند نصف القيمة القصوى بحوالي 13 بيكو ثانية (13 ps) عندما يكون جهد الدعم 10 فولت وهذا يناظر عرض نطاق داخلي يقارب 35 ميغاهيرتز.