الخواص التركيبية والكهربائية  لوصلة Au/Si:H

استخدمت شرائح السليكون  المتبلور كقاعدة لترسيب السليكون المهدرج غير المتبلور   a-Si:H.تم تبخير a-Si:H بواسطة طريقة الترسيب الكيميائي البخاري ((PECVD ومن ثم تبخير الألومنيوم فوق هذه الطبقة. تم تسخين العينات عند درجات تتراوح من 50 إلى 400ْم. بينت دراسات الأشعة السينية أنه قد حدث تبلور للسيليكون غير المتبلور عند درجه حرارة350ْم. تم تكوين وصلة الشوتكي بواسطة تبخير طبقة من الذهب فوق a-Si:H بعد إزالة الألومنيوم . تم قياس خواص الجهد ـ   التيار و الجهد ـ  السعة  كدالة في درجه حرارة التسخين لـ Al/a-Si:H . تم حساب معامل المثالية و ارتفاع الحاجز الجهدي وكثافة حاملات الشحنة لتلك العينات.