الخواص التركيبية والكهربائية لوصلة Au/Si:H
| dc.contributor.author | عبد الله محارب الظفيري | ar |
| dc.date.accessioned | 2025-01-04T06:56:29Z | |
| dc.date.issued | 01/07/2004 | ar |
| dc.description.abstract | استخدمت شرائح السليكون المتبلور كقاعدة لترسيب السليكون المهدرج غير المتبلور a-Si:H.تم تبخير a-Si:H بواسطة طريقة الترسيب الكيميائي البخاري ((PECVD ومن ثم تبخير الألومنيوم فوق هذه الطبقة. تم تسخين العينات عند درجات تتراوح من 50 إلى 400ْم. بينت دراسات الأشعة السينية أنه قد حدث تبلور للسيليكون غير المتبلور عند درجه حرارة350ْم. تم تكوين وصلة الشوتكي بواسطة تبخير طبقة من الذهب فوق a-Si:H بعد إزالة الألومنيوم . تم قياس خواص الجهد ـ التيار و الجهد ـ السعة كدالة في درجه حرارة التسخين لـ Al/a-Si:H . تم حساب معامل المثالية و ارتفاع الحاجز الجهدي وكثافة حاملات الشحنة لتلك العينات. | ar |
| dc.identifier.sourceId | 1105 | ar |
| dc.identifier.sourceURL | https://ksupress.ksu.edu.sa/Ar/Lists/JournalAricle/DispForm.aspx?ID=1105 | ar |
| dc.identifier.uri | https://ksu.otcloud.co.ke/handle/ksu-press/2208 | |
| dc.provenance | (قدم للنشر في 5/7/1422هـ ؛ قبل للنشر في 16/7/1423هـ) | ar |
| dc.publisher | دار جامعة الملك سعود للنشر | ar |
| dc.publisher | King Saud University Press | en |
| dc.relation.issue | العدد 2 | ar |
| dc.relation.issue | Issue 2 | en |
| dc.relation.journal | مجلة العلوم | ar |
| dc.relation.journal | The Sciences | en |
| dc.relation.volume | المجلد 16 | ar |
| dc.relation.volume | Volume 16 | en |
| dc.title | الخواص التركيبية والكهربائية لوصلة Au/Si:H | ar |
| dc.type | Journal Article | en |
| dspace.entity.type | JournalArticle |
ملفات
الحزمة الرئيسية
1 - 1 من 1
لا اختيار صورة مصغرة
- الاسم:
- V31M235R1232.doc
- الحجم:
- 177 KB
- التنسيق:
- Microsoft Word
- الوصف:
- V31M235R1232.doc