نماذج لتدهور حرمة الإلكترونات في الطبقات المنعكسة بالسيليكون

Abstract

تعتبر حركة حاملات الشحنة في طبقات السيليكون المنعكسة بارامتراً مهماً يعكس آليات نقل حاملات الشحنة. ومن المهم جدا أن تتم نمذجة الحركة الفعالة لحاملات الشحنة بدقة حتى يتم حساب تيار المصرف بدقة باستعمال برامج محاكاة النبيطة. ويصبح هذا الأمر أكثر أهمية في حالة النبائط التحت – ميكرونية التي تستخدم إشابة أعلى للطبقة التحتية، عوازل أقل سمكا للبوابة، ومجالات كهربية أعلى كثيرا جدا. وقد تم نشر عدة نماذج للحركة الفعلية لحاملات الشحنة في الطبقات المنعكسة داخل الـ " م.أ.س. "، كدالة في المجال الكهربائي المستعرض الفعال، واستخدم في ذلك استخلاص البارامترات التي تحقق أفضل ملاءمة لصيغة وضعية من المعطيات التجريبية. ومن أجل أن نحدد النموذج المناسب فيزيائيا لحركة الكترونات الطبقة المنعكسة عند درجة حرارة الغرفة قمنا بمقارنة الحركة الفعالة كدالة في المجال الكهربائي المستعرض باستخدام نموذج منشور حديثا لتدهور الحركة. وقمنا أيضا بحساب خصائص سرعة الانسياق كدالة المجال الكهربائي، وذلك باستعمال نماذج مختلفة لتدهور الحركة، وقارناها بالنتائج التجريبية التي سبق الإعلان عنها. وقمنا أيضا بحساب تيار التشبع للمصروف لنبيطة " ت.ت.م.م.أ.س" ، وهو الذي يعتبر ذو الأهمية الأعلى نظرا لتأثيره على سرعة الدائرة، وقمنا بحسابه باستعمال هذه النماذج وقارنا النتائج بالنتائج الحديثة النظرية والتجريبية التي تأذخ في الاعتبار تأثيرات تدهور الحركة، تشبع السرعة، والمقاومة على التوالي.