تبلور السليكون المبخّر بطريقة PECVD باستخدام تقنية الألمنيوم المحث على التبلور
مجلة العلوم الهندسية
ملفات
- إجمالي المشاهدات إجمالي المشاهدات0
- إجمالي التنزيلات إجمالي التنزيلات0
التاريخ
المؤلفين
الناشر
King Saud University Press
أ
ملخص البحث. يعرض البحث طريقة تبخير السليكون غير المتبلور على قاعدتين الأولى زجاجية والأخرى قاعدة من الكربون المغطى بالنيكل. تستخدم القاعدة الأولى لدراسة الأشعة السينية ولدراسة المجهر والماسح الإلكتروني بينما تستخدم القاعدة الثانية لدراسة المجهر النافذ الإلكتروني. تم تبخير السليكون بواسطة طريقة الرش الكيميائي تحت ضغط منخفض جدا ومن ثم استخدمت نفس الطريقة لتبخير الألمنيوم فوق السليكون سخنت العينات عند درجات حرارة مختلفة من 150ه م إلى 350 ه م ولمدة 30 دقيقة وجد أن السليكون يبدأ في التبلور عند درجة حرارة 200ه م عند استخدام المجهر النافذ الإلكتروني وعند درجة 275ه م عند استخدام الأشعة السينية. تم تفسير هذا الاختلاف طبقا لكل طريقة. درس سطح العينات باستخدام المجهر الماسح الإلكتروني ووجد أن العينات التي سخنت عند درجات حرارة أكبر من 275ه م تمتاز بوجود أشكال هرمية مما يؤكد تبلور السليكون بينما تمتاز العينات التي سخنت عند درجات حرارة أقل من 275ه م في وجود سطح أملس تم عرض ومناقشة وتفسير كل تلك النتائج بناء على التغيرات التركيبية والدراسات السابقة.